[17a-D419-1~12] 6.4 薄膜新材料

△ [17a-D419-9] MBE成長したCuI薄膜における金属的な低温伝導特性の観測

〇安波 貴広¹、中村 優男²、小川 直毅^2,1、十倉 好紀^1,2,3、川﨑 雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS、3.東京カレッジ)

キーワード：ワイドギャップ半導体、ヨウ化物、移動度

CuIは優れたp型伝導を示すワイドギャップ半導体であるが、熱膨張係数が大きく水や酸素の吸着で特性が大きく変化するため、信頼性のある低温の輸送特性の報告はこれまで皆無であった。本講演では、CuIと熱膨張係数が近いCaF₂基板上にMBE法で高品質薄膜を作製し、大気中で安定なPbF₂の封止を施すことで、低温での金属的な伝導特性を観測し、移動度を大幅に向上させることに成功したことを報告する。