[17a-PA01-1~7] 7 Beam Technology and Nanofabrication (Poster)

[17a-PA01-3] Dopant analysis examination by FIB-SIMS

〇Minoru Akutsu¹, Tomonori Hiki¹, Masao Yoshikawa¹ (1.ROHM Co., Ltd.)

Keywords:FIB, SIMS, Dopant

Xeプラズマをビーム源とした集束イオンビーム（ＦＩＢ）と微量分析手法の一つである二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）をコラボレーションさせたＦＩＢ－ＳＩＭＳを導入し、その特長について検証中。本報告ではその第一弾としてＦＩＢ－ＳＩＭＳを半導体中のドーパント分析に関して適用し、パーセントオーダー以下のドーパントが検出できることがわかった。