[17a-PA04-1~18] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

[17a-PA04-3] CsBr capping layer effect on CsPbBr₃ films

〇(P)Takuro Dazai¹, Hideomi Koinuma², Ryota Takahashi¹ (1.Nihon Univ., 2.SCT inc.)

Keywords:lead halide perovskite, Thin film, IR-laser deposition

不純物の少ないCsPbBr₃薄膜を作製するためには真空中での成膜が求められる。しかしながら、真空下ではハライド材料は蒸気圧が高いことから高温での熱処理が難しい。そこで本研究ではCsPbBr₃薄膜の上部にCsBrをキャッピング層として用いた際の熱処理に対する構造や光学特性の変化を観察した。その結果、室温下で作製した薄膜においては不純物相が析出しているが、200℃で熱処理を行うことで単相かつ一軸配向したCsPbBr₃薄膜の作製に成功した。