[17a-PA05-1~7] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[17a-PA05-1] Potential-induced degradation of p-type crystalline Si photovoltaic modules with Cat-CVD SiN_x films deposited at various substrate temperatures

〇(M2)Ryoichi Ishikawa¹, Huynh Thi Cam Tu¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:Potential-Induced Degration, Catalytic Chemical Vapor Deposition

Cat-CVDにて異なる堆積温度で形成したSiN_x膜を有するモジュールの電圧誘起劣化(PID)挙動の調査を行った。基板温度150–550 ℃でSiN_x膜を堆積したセルを用い、モジュールを作製した。PID試験(−1000 V, 85 °C)を行い、Suns–Voc測定でpFFを評価した。その結果、Naで修飾された積層欠陥に伴う並列抵抗の低減による、PID試験時間の増大に伴うpFFの減少を確認した。また、SiN_x堆積時の基板温度により、pFF低減の挙動が異なる傾向が確認され、SiN_xの膜特性によりモジュールPID耐性に差異が生じることを示唆する結果を得た。