[17a-PA05-1~7] 16.3 シリコン系太陽電池

[17a-PA05-1] 異なる基板温度で堆積したCat-CVDSiN_x膜を有するp型結晶Si太陽電池モジュールの電圧誘起劣化

〇(M2)石川 凌一¹、Huynh Thi Cam Tu¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：電圧誘起劣化、触媒化学気相堆積法

Cat-CVDにて異なる堆積温度で形成したSiN_x膜を有するモジュールの電圧誘起劣化(PID)挙動の調査を行った。基板温度150–550 ℃でSiN_x膜を堆積したセルを用い、モジュールを作製した。PID試験(−1000 V, 85 °C)を行い、Suns–Voc測定でpFFを評価した。その結果、Naで修飾された積層欠陥に伴う並列抵抗の低減による、PID試験時間の増大に伴うpFFの減少を確認した。また、SiN_x堆積時の基板温度により、pFF低減の挙動が異なる傾向が確認され、SiN_xの膜特性によりモジュールPID耐性に差異が生じることを示唆する結果を得た。