[17a-PA05-1~7] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[17a-PA05-3] Improvement in the passivation quality of Cat-CVD i-a-Si by applying Bayesian optimization

〇(M1)Ryota Ohshi¹, Kentaro Kutsukake², Huynh Thi Cam Tu¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST, 2.RIKEN)

Keywords:Catalytic Chemical Vapor Deposition, Bayesian optimization, Passivation

ベイズ最適化を用いて良好なパッシベーション性能を持つノンドープ非晶質Si(i-a-Si)の製膜条件を効率的に得る検討を行った。i-a-Si膜厚10 nmでのライフタイムの期待値と標準偏差の和が最大となる製膜条件の提示とその条件で得られるi-a-Siの予測膜厚を提示する2つのモデルを用いてベイズ最適化を行った。その結果，3回目の実験で，膜厚~10 nmでライフタイムが1423 μsまで向上する製膜条件が得られた。