[17a-PA05-1~7] 16.3 シリコン系太陽電池

[17a-PA05-3] ベイズ最適化を適用した Cat-CVD i-a-Si のパッシベーション性能の向上

〇(M1)大橋 亮太¹、沓掛 健太朗²、Huynh Thi Cam Tu¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大、2.理研)

キーワード：触媒化学気相堆積法、ベイズ最適化、パッシベーション

ベイズ最適化を用いて良好なパッシベーション性能を持つノンドープ非晶質Si(i-a-Si)の製膜条件を効率的に得る検討を行った。i-a-Si膜厚10 nmでのライフタイムの期待値と標準偏差の和が最大となる製膜条件の提示とその条件で得られるi-a-Siの予測膜厚を提示する2つのモデルを用いてベイズ最適化を行った。その結果，3回目の実験で，膜厚~10 nmでライフタイムが1423 μsまで向上する製膜条件が得られた。