[17a-PB01-1~25] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[17a-PB01-1] Growth of single-crystalline ZnO layer by sputter epitaxy method (VI)

〇Hyuga Kimura¹, Ryota Misawa¹, Keisuke Yoshida¹, Hiroyuki Shinoda¹, Nobuki Mutsukura¹ (1.Tokyo Denki Univ.)

Keywords:sputter epitaxy, ZnO, zinc oxide

我々は，UHVスパッタエピタキシー法にてサファイア基板上にZnOのエピタキシャル成長を行っている．今回は，ZnO結晶中の酸素空孔密度の減少を目的に，O₂/Ar混合ガスを用いて2インチ径サファイア基板上にZnO層の成長を行った．O₂ガス混合比0%にて見られた逆六角錐状の構造は，O₂ガス混合比2%においては見られなくなり，全体的に平坦性が向上した表面形態となった．