[17a-PB01-1~25] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17a-PB01-13] Ar/N₂混合ガス中スパッタリングで堆積したSnO_x薄膜におけるN₂濃度の影響

〇(M1)川口 拓真¹、渡辺 幸太郎¹、永井 裕己¹、山口 智広¹、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、相川 慎也¹ (1.工学院大工)

キーワード：酸化物半導体、窒素ドープ、窒素雰囲気下スパッタリング