[17a-PB01-1~25] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[17a-PB01-24] Basic characteristics of MSM photodetector using α-Ga₂O₃ on a-sapphire substrates by mist chemical vapor deposition

〇Keishi Yamaoka¹, Kazuyuki Uno¹ (1.Systems Engineering Wakayama University)

Keywords:Gallium Oxide, mist chemical vapor deposition, MSM photo detector

a面サファイア基板上にα型酸化ガリウムをミストCVD法を用いて薄膜形成し、白金電極を有するMSM型光検出器を作製し、その基礎特性を評価した。