The 70th JSAP Spring Meeting 2023

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21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[17a-PB01-1~25] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Fri. Mar 17, 2023 9:30 AM - 11:30 AM PB01 (Poster)

9:30 AM - 11:30 AM

[17a-PB01-25] Anisotropic HCl gas etching of (010) β-Ga2O3 substrate

Takayoshi Oshima1, Yuichi Oshima1 (1.NIMS)

Keywords:Ga2O3, etching

本研究では、β-Ga2O3のエピタキシャル成長に広く利用されているハライド気相成長装置で、成長原料前駆体GaClの合成に使用されているHClを直接基板に供給してエッチング加工を試みたので報告する。