[17a-PB01-1~25] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17a-PB01-25] (010)面β-Ga₂O₃基板に対する異方性HClガスエッチング

〇大島 孝仁¹、大島 祐一¹ (1.物材研)

キーワード：酸化ガリウム、エッチング

本研究では、β-Ga₂O₃のエピタキシャル成長に広く利用されているハライド気相成長装置で、成長原料前駆体GaClの合成に使用されているHClを直接基板に供給してエッチング加工を試みたので報告する。