[17a-PB01-1~25] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17a-PB01-3] 石英ガラス基板上に成膜したCu₂O薄膜の配向変化

吉田 朱里²、舩木 修平¹、〇山田 容士¹ (1.島根大総理工、2.島根大自然)

キーワード：太陽電池、スパッタリング、結晶性

2.1 eVのバンドギャップを有したCu₂Oは，赤色より長波長の光を透過することから，タンデム型太陽電池のトップセルとして使用可能である。スパッタリングによるCu₂O成膜において，Cuを添加したCu₂Oターゲットを用いると，無加熱成膜において石英ガラス基板上で結晶が (200)配向し結晶性も向上する。そこで，成膜温度を変化させた時のCu₂O膜の配向性と結晶性を調べたところ，特定の温度で (111)配向膜が得られることが分かった。結晶性は加熱成膜によってもCu添加Cu₂Oターゲットを用いた方が優れていた。