[17a-PB01-1~25] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17a-PB01-7] β-Ga₂O₃(-201)表面におけるNi粒子の生成および成長のUHV観察

〇(M1)竹本 利々子¹、岡田 有史¹、角野 広平¹ (1.京工繊大工芸)

キーワード：酸化ガリウム、走査トンネル顕微鏡、電子ビーム蒸着

本研究ではSnドープβ-Ga₂O₃(-201)上に超高真空（UHV）で電子ビーム蒸着装置によりNiを蒸着し、STMおよびNCAFMで観察した。常温で蒸着した場合は粒子が基板全面を被覆していてもSTM観察が可能であった。一方で、この試料を750 °Cで20 min加熱するとトンネル電流が不安定となり，前回の急激な物性変化が再現された。しかしながらI-V曲線において電流が流れ始める電圧は一定ではなく、6 V以上の幅が見られた。