[17a-PB01-1~25] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17a-PB01-9] N2 および Ar/H2 アニールによる SnOx 薄膜の還元状態の比較

〇渡辺 幸太郎¹、川口 拓真¹、山口 智広¹、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、相川 慎也¹ (1.工学院大工)

キーワード：窒素アニール、酸化スズ系材料