The 70th JSAP Spring Meeting 2023

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[17p-A301-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

Fri. Mar 17, 2023 1:00 PM - 6:00 PM A301 (Building No. 6)

Masashi Kato(Nagoya Inst. of Tech.)

3:45 PM - 4:00 PM

[17p-A301-11] Development of GaN Recycling Wafer Process Enabling Low Cost and CO2 Emission

Junji Ohara1, Masatake Nagaya1, Kazukuni Hara1, Shinichi Hoshi1, Takashi Kanemura1, Takashi Ushijima1, Takashi Ishida1, Shosuke Nakabayashi1, Kozo Kato1, Takayuki Koyama1, Yoshitaka Nagasato1, Kazuhiro Tsuruta1, Jun Kojima1,2, Shoichi Onda1,2, Tsutomu Uesugi2, Atsushi Tanaka2, Chiaki Sasaoka2, Jun Suda2, Keisuke Hara3, Daisuke Kawaguchi3, Koji Kuno3, Tetsuya Osajima3 (1.MIRISE, 2.Nagoya Univ., 3.HAMAMATSU PHOTONICS)

Keywords:GaN Substrate, Recycle, Laser Slice

GaNデバイスの普及に向けて基板の低コスト化は必須である。また基板製造に要するエネルギー低減も課題である。本研究ではこれらに鑑み、低コスト、低CO排出を実現するウェハプロセス技術としてレーザスライスによるデバイス部分離と平坦化研削・研磨、厚いエピ成膜を組み合わせた基板リサイクルの確立を目指している。今回、コンセプトを具体化する目的で提案プロセスがΦ2ウェハ状態で一巡すること等を検証した。