2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17p-A301-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2023年3月17日(金) 13:00 〜 18:00 A301 (6号館)

加藤 正史(名工大)

17:45 〜 18:00

[17p-A301-18] ゲート電圧の観測によるパワーデバイスの熱時定数の導出手法

野村 昌弘1、森 時彦1、桜井 貴康1 (1.東大院工)

キーワード:パワーデバイス、熱時定数、IGBT

パワーデバイスをIoT化し、将来のDaaS(Device as a Service)を指向して、インテリジェント・デジタルゲート・プラットーフォーム(IDG-PF)を開発している。本発表では、将来、ゲートドライバにも搭載可能なゲート電圧のみの観測によるパワーデバイスの熱時定数の導出手法を提案する。