[17p-A301-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[17p-A301-2] Difference in TR-PL signals for GaN epilayers on HVPE and OVPE substrates

〇Tatsuya Ishii¹, Shigeyoshi Usami², Yusuke Mori², Hirotaka Watanabe³, Shugo Nitta³, Yoshio Honda³, Hiroshi Amano³, Masashi Kato¹ (1.NITech, 2.Osaka Univ., 3.Nagoya Univ.)

Keywords:semiconductor

エピ構造は同じで、基板のみハイドライド気相成長(HVPE)基板から酸化物気相成長(OVPE) 基板に変更した GaN 試料について、I-V 特性から電導度変調が起こっている可能性が見受けられた。そこで、HVPE 基板とOVPE 基板を用いたときのGaNエピ層のフォトルミネッセンス(PL) 測定を実施し、キャリアライフタイムに相違がないかを検討した。