[17p-A301-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

△ [17p-A301-4] AlGaInN/GaN HEMTs on Single-Crystal AlN Substrate(Ⅱ)

〇Tomoyuki Kawaide¹, Sakura Tanaka¹, Takashi Egawa¹, Makoto Miyoshi¹ (1.Nagoya Inst. Tech.)

Keywords:GaN-HEMT, Single-Crystal AlN

AlNは、材料固有の物性として「高熱伝導性」と「高絶縁性」を備えており、高周波・大電力用GaN-HEMTのための下地基板に好適である。また、GaNと同じウルツ鉱型結晶を安定とする超ワイドバンドギャップ(～6.2 eV)の半導体であるため、これを下地層とする事でGaNチャネル層をpseudo- morphicに且つ高品質に成長できる事や、AlN自身によるバックバリア効果の発現にも期待が持てる。本研究では、下地AlN層によるバックバリア機能のさらなる強化を狙って、GaNチャネル厚を250 nmまで薄層化したAlGaInN/GaN HEMT構造を作製し、デバイス試作と特性評価を行ったので報告する。