[17p-A301-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[17p-A301-8] Origin of minority carrier signal observed in capacitance transient spectroscopy of GaN pn junction diodes applying a filling pulse of 0 V

〇Taketo Shimizu¹, Takuto Ohashi¹, Kazuyoshi Tomita², Masahiro Horita^1,2, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.IMass Nagoya Univ.)

Keywords:deep level, DLTS, ICTS

窒化ガリウム(GaN)中の点欠陥評価にはDLTSやICTS測定が広く用いられ、深い準位へのキャリアの捕獲及び放出過程による空乏層容量の過渡変化から、深い準位の密度、活性化エネルギー、捕獲断面積等を算出する。本発表では、少数キャリア注入が起こらない条件でICTS測定を行ったのにもかかわらず観測された少数キャリアシグナル(負のピーク)について、そのメカニズムと起源をTCADシミュレーションを用いて検討したので報告する。