2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

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[17p-A301-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2023年3月17日(金) 13:00 〜 18:00 A301 (6号館)

加藤 正史(名工大)

15:15 〜 15:30

[17p-A301-9] Mgイオン注入GaN中の自己欠陥とMgの拡散に対する静水圧の影響

狩野 絵美1、小林 功季1、大築 立旺1、片岡 恵太2、成田 哲生2、Sierakowski Kacper3、Bockowski Michal3、加地 徹1、五十嵐 信行1 (1.名古屋大、2.豊田中研、3.IHPP PAS)

キーワード:GaN、透過型電子顕微鏡

Mgイオン注入によるGaNのドーピングにおいて、Mgイオン注入後の熱処理における静水圧が自己欠陥や不純物の拡散に与える影響は、活性化プロセスの物理を理解するうえで必須の知見である。講演では、TEMによる転位ループの観察とSIMSによるMgとHの濃度の測定から、静水圧が自己欠陥とMgの拡散を抑制すること、注入領域のアクセプタ濃度を上昇させることを報告する。