[17p-A301-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17p-A301-9] Mgイオン注入GaN中の自己欠陥とMgの拡散に対する静水圧の影響

〇狩野 絵美¹、小林 功季¹、大築 立旺¹、片岡 恵太²、成田 哲生²、Sierakowski Kacper³、Bockowski Michal³、加地 徹¹、五十嵐 信行¹ (1.名古屋大、2.豊田中研、3.IHPP PAS)

キーワード：GaN、透過型電子顕微鏡

Mgイオン注入によるGaNのドーピングにおいて、Mgイオン注入後の熱処理における静水圧が自己欠陥や不純物の拡散に与える影響は、活性化プロセスの物理を理解するうえで必須の知見である。講演では、TEMによる転位ループの観察とSIMSによるMgとHの濃度の測定から、静水圧が自己欠陥とMgの拡散を抑制すること、注入領域のアクセプタ濃度を上昇させることを報告する。