[17p-A302-1~8] The leading-edge research on quantum science and technology based on quantum bits and spin defects in solid-state materials

[17p-A302-7] Silicon Vacancy Quantum Light Source in Silicon Carbide

〇Naoya Morioka^1,2 (1.Kyoto Univ., 2.CSRN Kyoto Univ.)

Keywords:semiconductor, color center, quantum technology

ワイドギャップ半導体中のスピンを有する色中心は、固体中に局在した量子ビットとその状態に対応する単一光子の放出源として機能し、その特性を活かして量子科学技術への応用が期待されている。近年、炭化ケイ素（SiC）中に様々なスピンを有する単一色中心が分離され、それらの光学的およびスピン特性の研究が活発に行われている。SiCは色中心の優れた特性に加え、大型ウェハの入手可能であり、微細加工技術も高いことから、SiC中の色中心の活用によりスケーラブルな量子技術の実現の可能性を秘める。本講演では、量子光源として優れた特性を示すSiC中のシリコン空孔に着目し、その基礎および近年の研究の進展について紹介する。