[17p-A403-1~17] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

△ [17p-A403-15] Evaluation of process damage induced by transparent conductive oxide film deposition

〇(M2)Haruki Kojima¹, Tappei Nishihara^1,2, Yuta Ito¹, Hyunjyu Lee^1,5, Kazuhiro Gotoh³, Noritaka Usami³, Tomohiko Hara⁴, Kyotaro Nakamura⁴, Yoshio Oshita⁴, Atsushi Ogura^1,5 (1.Meiji Univ., 2.JSPS Research Fellow DC, 3.Nagoya Univ., 4.Toyota Tech. Inst., 5.Meiji Renewable Energy Laboratory)

Keywords:Silicon heterojunction solar cells, Transparent conductive oxide film

シリコンヘテロ接合太陽電池ではパッシベーション層、キャリア選択層としてアモルファスシリコン膜(a-Si:H)、およびキャリア輸送層として透明導電膜(TCO)が成膜され高効率な太陽電池を実現している。一方で各プロセスによって結晶シリコン(c-Si)に誘起されるダメージの存在や原因、その種類に関しては必ずしも明確にされていない。本研究では、透明導電膜(TCO)の成膜プロセスによってc-Siに誘起されるダメージ評価を行った。