[17p-A403-1~17] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [17p-A403-15] 透明導電膜の成膜による結晶シリコンへのプロセスダメージの評価

〇(M2)小島 遥希¹、西原 達平^1,2、伊藤 佑太¹、Lee Hyunju^1,5、後藤 和泰³、宇佐美 徳隆³、原 知彦⁴、中村 京太郎⁴、大下 祥雄⁴、小椋 厚志^1,5 (1.明治大理工、2.学振特別研究員 DC、3.名古屋大学、4.豊田工業大学、5.明治大MREL)

キーワード：シリコンヘテロ接合太陽電池、透明導電膜

シリコンヘテロ接合太陽電池ではパッシベーション層、キャリア選択層としてアモルファスシリコン膜(a-Si:H)、およびキャリア輸送層として透明導電膜(TCO)が成膜され高効率な太陽電池を実現している。一方で各プロセスによって結晶シリコン(c-Si)に誘起されるダメージの存在や原因、その種類に関しては必ずしも明確にされていない。本研究では、透明導電膜(TCO)の成膜プロセスによってc-Siに誘起されるダメージ評価を行った。