[17p-A403-1~17] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[17p-A403-16] The application of the inversion layers induced by the ultrathin Al-doped SiO_x layers for the front-emitter n-type crystalline Si solar cells

〇Hiroki Nakajima¹, Huynh Thi Cam Tu¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:Passivating contact, Ultrathin oxide, Wet process

n型Si基板上に、Al(NO₃)₃水溶液への浸漬処理で形成したAlドープSiO_x膜のレーザ光照射前後のシート抵抗を評価した。レーザ光照射後、シート抵抗が1桁以上減少し、特にSi(111)では、Si(100)と比べて低い値 (~5 kΩ/sq) を示した。これは、Si(111)において、光励起で誘起された負の固定電荷により、反転層内に高濃度のホール蓄積が生じたことに起因する。以上の結果から、(111)ファセットからなるテクスチャSi表面で、横方向の電気伝導性が改善する可能性が示唆された。