[17p-A403-1~17] 16.3 シリコン系太陽電池

[17p-A403-16] 超極薄AlドープSiO_x膜により誘起した反転層のフロントエミッタ型n型結晶Si太陽電池への応用

〇中島 寛記¹、Huynh Thi Cam Tu¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：パッシベーティングコンタクト、極薄酸化膜、湿式法

n型Si基板上に、Al(NO₃)₃水溶液への浸漬処理で形成したAlドープSiO_x膜のレーザ光照射前後のシート抵抗を評価した。レーザ光照射後、シート抵抗が1桁以上減少し、特にSi(111)では、Si(100)と比べて低い値 (~5 kΩ/sq) を示した。これは、Si(111)において、光励起で誘起された負の固定電荷により、反転層内に高濃度のホール蓄積が生じたことに起因する。以上の結果から、(111)ファセットからなるテクスチャSi表面で、横方向の電気伝導性が改善する可能性が示唆された。