[17p-A403-1~17] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [17p-A403-8] 多結晶Siの転位密度に対する界面形状と成長時間の影響に関する統計的調査

〇(M2)田中 博之¹、沓掛 健太朗²、小島 拓人³、劉 鑫¹、宇佐美 徳隆¹ (1.名大院工、2.理研AIP、3.名大院情報)

キーワード：結晶成長、一方向凝固法、シミュレーション

多結晶 Si では融液成長中の滑らかな固液界面形状と成長速度の低減が、転位密度の低減
に効果的であると考えられている。本研究では、特定の結晶成長炉を想定せず、結晶成長シミュレーションを実施できる独自の計算モデルを作成し、様々な温度分布での結晶成長をシミュレーションすることにより、固液界面形状と成長速度、転位密度の関係を統計的に調べた。 また、得られた関係における代表的なシミュレーション結果を詳細に解析することで、その関係の背後にある因果を考察した。