[17p-A405-1~14] 3.6 レーザープロセシング（旧3.7）

△ [17p-A405-4] レーザードーピング後の光学顕微鏡画像を用いた機械学習による 4H-SiC 電極のコンタクト状態の予測

〇岩泉 裕生¹、安並 拓磨¹、片山 慶太¹、柿本 祥明²、中村 大輔¹、後藤 哲也³、池上 浩^1,2 (1.九大シス情、2.九大ギガフォトン共同部門、3.東北大未来研)

キーワード：レーザードーピング、機械学習

レーザードーピングには多くのパラメータが存在し、最適な条件を決定するまでには多大なコストが掛かっている。特に最適条件であるかを評価するためのデバイス製作に多くのコストを費やしている。本研究では、機械学習を用いてレーザー照射後のSiC試料の表面画像からドーピング結果を予測した。ドーピング結果の予測精度は85%以上であり、短時間で人以上の精度で分類が可能になった。