[17p-B309-1~19] 17.2 Graphene

△ [17p-B309-3] Observation of Valley Hall effect in hBN-bilayer graphene heterostructure

〇(M2)Teppei Shintaku¹, Kareekunnan Afsal¹, Masashi Akabori¹, Kenji Watanabe², Takashi Taniguchi², Hiroshi Mizuta¹ (1.JAIST, 2.NIMS)

Keywords:graphene, heterostructure, Valley Hall effect

hBN-二層グラフェンヘテロ構造を用いてバレーホール効果の観測を行った。hBNと二層グラフェンのエッジが平行になるよう積層させることで二層グラフェンの対称性を破り、有限の非局所抵抗を検出することに成功した。また、トップゲートとバックゲートを用いて垂直電場を発生させ、より大きな非局所抵抗を検出した。当日はデバイス作製方法、測定結果、考察について発表を行う。