[17p-B309-1~19] 17.2 グラフェン

△ [17p-B309-4] 折り畳みグラフェン/h-BN素子の作製と磁場反転接合の実現

〇若藤 祐斉¹、守谷 頼¹、増渕 覚¹、張 奕勁¹、渡邊 賢司²、谷口 尚²、町田 友樹^1,3 (1.東大生研、2.物材機構、3.CREST -JST)

キーワード：グラフェン、量子ホール状態、磁場反転接合

グラファイト/h-BN/グラフェン/h-BNヘテロ構造をマイクロドーム型ポリマースタンプを用いた三次元操作技術によって折り畳んだ。この構造はこれまで机上の空論であった、’印加磁場が反転した接合’を実現することができた。このいわゆる’磁場反転接合’では量子ホール状態における混合、反射、透過によって伝導度が量子化されたプラトーが観測された。加えて、各界面における干渉による磁気抵抗振動が観測されている。本講演ではこれらの現象についてエッジチャネルの観点から解釈を行う。