[17p-B309-1~19] 17.2 グラフェン

[17p-B309-7] グラフェンにおけるゲート電圧駆動UV光酸化反応の顕微XPS分析

〇永村 直佳^1,2,3、今野 隼²、松本 守広⁴、張 文雄⁵、小嗣 真人²、尾嶋 正治⁵、野内 亮^3,4 (1.物材機構、2.東京理科大、3.JSTさきがけ、4.大阪公立大、5.東大)

キーワード：光電子分光、イメージング、光酸化

グラフェン電界効果トランジスタ(GFET)において、大気中バイアス電圧印加下でUV光照射すると、負ゲートバイアス時のみエッジ選択的にエッチングされる。本研究では、高い空間分解能を持つ放射光顕微XPSを用いて、ゲート電圧駆動光酸化されたGFET構造の化学状態・電子状態観測を行い、反応過程を調べた。その結果、エッジ選択的なホールドープの後に欠陥が導入され、酸化を経てエッチングに到る過程が明らかになった。