[17p-B401-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [17p-B401-1] Improvement of AlGaN UV-B LD performance by improving the AlGaN underlayer quality

〇(B)Yoshinori Imoto¹, Ryota Hasegawa¹, Ayumu Yabutani¹, Koki Hattori¹, Ryosuke Kondo¹, Toma Nishibayashi¹, Eri Matsubara¹, Ryuichiro Sakakima¹, Ryoya Yamada¹, Sho Iwayama^1,2, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Hideto Miyake² (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ.)

Keywords:Nitride, UV laser

同一方法、同一条件でAlNナノピラーを作製し、85 ℃で加熱した25 wt%のTMAH水溶液で5 分間ウエットエッチングを行った。その後、デバイス構造を試作し、デバイスプロセスを行うことにより、UV-Bレーザーダイオードを試作し、室温温パルス駆動(パルス幅 50 ns)で評価した。統計的な結果として、ウエットエッチングを行ったほうが、しきい値電流密度が低い傾向になるという結果を得た。