[17p-B401-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [17p-B401-1] AlGaN下地高品質化によるAlGaN系UV-Bレーザーダイオードの特性向上

〇(B)井本 圭紀¹、長谷川 亮太¹、薮谷 歩武¹、服部 光希¹、近藤 涼輔¹、西林 到真¹、松原 衣里¹、榊間 隆一郎¹、山田 凌矢¹、岩山 章^1,2、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、三宅 秀人² (1.名城大・理工、2.三重大・院・工)

キーワード：窒化物、紫外レーザー

同一方法、同一条件でAlNナノピラーを作製し、85 ℃で加熱した25 wt%のTMAH水溶液で5 分間ウエットエッチングを行った。その後、デバイス構造を試作し、デバイスプロセスを行うことにより、UV-Bレーザーダイオードを試作し、室温温パルス駆動(パルス幅 50 ns)で評価した。統計的な結果として、ウエットエッチングを行ったほうが、しきい値電流密度が低い傾向になるという結果を得た。