[17p-B401-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [17p-B401-4] Investigation of vertical AlGaN-based UV-B devices by lift-off process with saturated vapor pressure water

〇Toma Nishibayashi¹, Eri Matsubara¹, Ayumu Yabutani¹, Ryoya Yamada¹, Ryosuke Kondo¹, Ryota Hasegawa¹, Syo Iwayama^1,2, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satosi Kamiyama¹, Kohei Miyoshi³, Kochi Naniwae³, Hideto Miyake² (1.Meijou Univ., 2.Mie Univ., 3.Ushio Inc.)

Keywords:AlGaN

本グループではサファイア基板上のUV-Bレーザダイオードの動作を実現している。そこで、高出力化に向け縦型デバイスの実現が望まれており、我々はLLOを用いた縦型デバイスの動作について報告した。一方、よりソフトな溶液を用いた基板剥離技術の検討を進めており、飽和蒸気圧水を用いることにより基板の剥離が可能であることを見出した。本報告では、飽和蒸気圧水を用いた基板剥離技術の縦伝導デバイス実現に向けた検討を行った。