[17p-B401-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [17p-B401-4] 飽和蒸気圧水を用いたリフトオフプロセスによる縦伝導AlGaN系UV-Bデバイスの検討

〇西林 到真¹、松原 衣里¹、薮谷 歩武¹、山田 凌矢¹、近藤 涼輔¹、長谷川 亮太¹、岩山 章^1,2、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、三好 晃平³、難波江 宏一³、三宅 秀人² (1.名城大理工、2.三重大院、3.ウシオ電機)

キーワード：AlGaN

本グループではサファイア基板上のUV-Bレーザダイオードの動作を実現している。そこで、高出力化に向け縦型デバイスの実現が望まれており、我々はLLOを用いた縦型デバイスの動作について報告した。一方、よりソフトな溶液を用いた基板剥離技術の検討を進めており、飽和蒸気圧水を用いることにより基板の剥離が可能であることを見出した。本報告では、飽和蒸気圧水を用いた基板剥離技術の縦伝導デバイス実現に向けた検討を行った。