[17p-B401-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [17p-B401-5] Investigation of p-layer side structure for improving injection efficiency in AlGaN-based UV-B laser diodes

〇Ryosuke Kondo¹, Ryota Hasegawa¹, Ayumu Yabutani¹, Eri Matsubara¹, Koki Hattori¹, Sho Iwayama^1,2, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Koichi Naniwae³, Kohei Miyoshi³, Hideto Miyake² (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ., 3.Ushio Inc.)

Keywords:semiconductor, nitride, ultraviolet laser

本検討ではキャリア注入効率の向上へ向けてp側層構造に着目した。作製したサンプルはEBL層のAlNモル分率を0.9,0.77,0.65の3水準変化させレーザー特性を比較した。基板裏面からの自然放出強度はEBL層のAlNモル分率が低いほど大きくなるのに対し、シミュレーションでは逆の結果が得られた。これはTEM分析よりguide層とEBL層間の界面の急峻性が関係していることが確認された。