PDF ダウンロード スケジュール 29 いいね! 0 コメント (0) 15:30 〜 15:45 [17p-B401-9] 220nm帯 far-UVC LEDの初期通電時に観測されるMgドープ・高Al組成(x>0.8) AlGaNの電流によるp型活性化 〇前田 哲利1、祝迫 恭2、平山 秀樹1 (1.理研、2.日本タングステン) キーワード:AlGaN、発光ダイオード、Far-UVC