2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 光物性・発光デバイス

[17p-B410-1~12] 13.8 光物性・発光デバイス

2023年3月17日(金) 13:30 〜 16:45 B410 (2号館)

七井 靖(防衛大)、舘林 潤(阪大)

13:30 〜 13:45

[17p-B410-1] 窒化アルミニウムにイオン注入したランタノイドの室温発光スペクトル

佐藤 真一郎1、正直 花奈子2,3、吉田 謙一4、南川 英輝4、三宅 秀人2 (1.量研、2.三重大院工、3.阪大院工、4.イオンテクノセンター)

キーワード:窒化アルミニウム、ランタノイド、希土類イオン

窒化物半導体はランタノイドの良い母材料として知られており、室温でも狭い線幅で安定した発光を電気的・光学的に制御できるため、光学材料としてのみならず量子技術的観点からも魅力的な系である。本研究では、AlNにイオン注入したランタノイド(Pr, Nd, Eu)のフォトルミネッセンス(PL)特性を調べ、熱処理温度による変化を調査した。