The 70th JSAP Spring Meeting 2023

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[17p-B414-1~15] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

Fri. Mar 17, 2023 1:00 PM - 5:00 PM B414 (Building No. 2)

Koichiro Saga(Sony), Nobuya Mori(Osaka Univ.), Hajime Tanaka(阪大)

3:45 PM - 4:00 PM

[17p-B414-11] Thermoelectric properties of two-terminal pair circuit of single-wall carbon nanotube

Daisuke Hayashi1, Sataoka Aoyagi1 (1.Seikei university)

Keywords:thermoelectric property, calculation, two-terminal pair circuit

単層カーボンナノチューブ(SWCNT)薄膜は、高い熱電変換性能を持つ。薄膜の内部ではSWCNT単体やその束が何らかの回路構造を形成している。これまでに単純な並列回路の物性が薄膜の巨視的な物性に大きな影響を与えていることを報告した。本報告では、二端子対回路の縦続接続によりSWCNT単体のハシゴ状回路の熱電物性を計算し、薄膜の実験や並列接続の計算と比較することで、内部構造が巨視的熱電物性に与える影響を明らかにする。