[17p-B414-1~15] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[17p-B414-11] 単層カーボンナノチューブ二端子対回路の熱電物性

〇林 大介¹、青柳 里果¹ (1.成蹊大学　理工学部)

キーワード：熱電物性、計算、二端子対回路

単層カーボンナノチューブ(SWCNT)薄膜は、高い熱電変換性能を持つ。薄膜の内部ではSWCNT単体やその束が何らかの回路構造を形成している。これまでに単純な並列回路の物性が薄膜の巨視的な物性に大きな影響を与えていることを報告した。本報告では、二端子対回路の縦続接続によりSWCNT単体のハシゴ状回路の熱電物性を計算し、薄膜の実験や並列接続の計算と比較することで、内部構造が巨視的熱電物性に与える影響を明らかにする。