[17p-B414-1~15] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[17p-B414-15] 3次元モンテカルロデバイスシミュレーションにおける電界分布数値計算の機械学習による高速化

〇(M1C)倉元 俊亮¹、森 伸也¹ (1.阪大院工)

キーワード：デバイスシミュレーション、機械学習

3次元モンテカルロデバイスシミュレーションでは，デバイス内のポテンシャル分布を得るために，与えられた電子密度分布のもとでポアソン方程式をタイムステップごとに解く必要があり，これが計算のボトルネックとなる．本研究では機械学習を用いることで，ポアソン方程式の数値計算の高速化を行った．