[17p-D419-1~15] 6.4 Thin films and New materials

[17p-D419-5] Observation of exchange bias at room temperature in Mn₃(Ge,Mn)N and Preparation of its epitaxial thin films using PLD

〇Takahiko Kawaguchi¹, Satoki Sugiura¹, Naonori Sakamoto¹, Naoki Wakiya¹ (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:PLD, nitride, Exchange bias

交換バイアスは、スピンバルブ素子として磁気記録情報の高感度読み出しに利用される。ごく最近我々は、逆ペロブスカイト型窒化物Mn₃(Ge,Mn)Nが単一物質にもかかわらず、交換バイアスを室温においても示すことを発見した。これは、本物質が室温までスピングラス相を維持している可能性を示唆している。本講演では、Mn₃(Ge,Mn)Nにおける磁気特性の組成依存性の調査と、その薄膜化の試みおよび磁気特性について報告する予定である。