[17p-D511-1~15] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

△ [17p-D511-1] 高Ge組成バルクSiGeにおける局在振動モードラマンスペクトルの温度依存性

〇横川 凌^1,2、寿川 尚¹、荒井 康智³、米永 一郎⁴、小椋 厚志^1,2 (1.明大理工、2.明大MREL、3.JAXA、4.東北大学)

キーワード：ラマン分光法、SiGe、局在振動モード

SiGeの低熱伝導率メカニズムの解明にはフォノン散乱の理解が重要であり、その有力な評価手法としてラマン分光法がある。SiGeのラマンスペクトルは混晶由来の局在振動モード(LVM)が存在するが、その温度依存性は明らかになっていない。本研究では、高Ge組成バルクSiGeのレーザパワー掃引ラマン分光分析を実施し、LVMの温度依存性を評価することで熱輸送の微視的解明を検討した。