[17p-D511-1~15] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[17p-D511-2] 分子動力学法によるSiGe, GeSn, SiSn混晶の低エネルギー局在フォノンモードの解析

〇並木 大輔¹、山中 湧司¹、渡邉 孝信¹ (1.早大理工)

キーワード：半導体、フォノン