[17p-D704-1~16] 10.1 Emerging materials in spintronics and magnetics (including fabrication and characterization methodologies)

[17p-D704-9] Epitaxial growth of Mn_4−xGe_xN films and evaluation of their magneto-transport properties

〇Tomohiro Yasuda¹, Taro Komori¹, Takumi Horiuchi¹, Aoi Hatate¹, Kaoru Toko¹, Takashi Suemasu¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:Perpendicular magnetic anisotropy, Ferrimagnet, Mn4N

電流駆動磁壁移動に用いる材料として、Mn₄N をベースとした薄膜材料に注目している。Mn₄N 薄膜はフェリ磁性体で、垂直磁気異方性を有する。Mnを一部Niで置換した (Mn,Ni)₄Nでは、角運動量補償に起因した高速な磁壁移動（3,000 m s⁻¹）が実証された。しかし、駆動に必要な電流密度が大きすぎるという問題がある。本研究では、磁壁移動の新規材料の候補として (Mn,Ge)₄N 薄膜に注目し、その作製・評価を行った。