[17p-D704-1~16] 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）

[17p-D704-9] Mn_4−xGe_xN 薄膜のエピタキシャル成長と磁気輸送特性評価

〇安田 智裕¹、小森 太郎¹、堀内 拓海¹、旗手 蒼¹、都甲 薫¹、末益 崇¹ (1.筑波大)

キーワード：垂直磁気異方性、フェリ磁性、Mn4N

電流駆動磁壁移動に用いる材料として、Mn₄N をベースとした薄膜材料に注目している。Mn₄N 薄膜はフェリ磁性体で、垂直磁気異方性を有する。Mnを一部Niで置換した (Mn,Ni)₄Nでは、角運動量補償に起因した高速な磁壁移動（3,000 m s⁻¹）が実証された。しかし、駆動に必要な電流密度が大きすぎるという問題がある。本研究では、磁壁移動の新規材料の候補として (Mn,Ge)₄N 薄膜に注目し、その作製・評価を行った。