[17p-E302-1~8] ディスプレイの次のキラーアプリをねらえ！酸化物半導体の最前線

[17p-E302-2] 半導体デバイス向けIGZO量産成膜技術の開発

〇長坂 恵一¹、岩下 浩之²、Zeng Hao²、石橋 翔太²、吉松 孝宗¹、藁科 尚士¹、冨田 博之¹、北田 亨²、前原 大樹¹ (1.東京エレクトロン、2.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ)

キーワード：半導体、IGZO、成膜

フラットパネルディスプレイなどで採用されるIGZO酸化物半導体を用いたTFTは高移動度や高スイッチング性能から半導体ロジックやメモリ分野への応用が期待されるが，その実現に向けては更なるスケーリング向上や歩留まり確保などが要求される。我々はIGZOをはじめとする酸化物半導体デバイスの量産化を実現するべく成膜装置技術の開発を進めており，本講演ではPVD装置を用いたIGZO膜やTFTデバイス性能と量産性に関する評価データを紹介する。