[17p-E302-1~8] ディスプレイの次のキラーアプリをねらえ！酸化物半導体の最前線

[17p-E302-5] 酸化物半導体デバイスへの期待－強誘電体ゲートトランジスタを中心として－

〇徳光 永輔¹ (1.北陸先端大)

キーワード：強誘電体、酸化物半導体、不揮発性メモリ

筆者らが現在まで行ってきた酸化物チャネル強誘電体ゲートトランジスタに関する研究を紹介するとともに、今後の展望を述べる。最初に強誘電体ゲートにより不揮発性メモリ機能に加えて大電荷量制御が可能になることを指摘し、導電性酸化物のインジウム・スズ酸化物（ITO）をチャネルに用いたデバイスの例を示す。次にこのデバイスを用いたNAND構造の試作結果を示し、最後に3次元NAND構造に向けての期待を述べる。