[17p-PA06-1~14] 6.1 Ferroelectric thin films

[17p-PA06-1] Preparation of LaTaO₄ Epitaxial Films by PLD Technique

〇Sohta Morii¹, Yosuke Hamasaki¹, Yoshitaka Ehara¹, Shintaro Yasui², Shinya Sawai¹ (1.National Defense Academy, 2.Tokyo Institute of Technology)

Keywords:ferroelectricity, thin film

直方晶LaTaO₄は、第一原理計算によりチタン酸バリウム(BaTiO₃)の25 μC/cm²を超える36 μC/cm²の自発分極が報告されており、非鉛強誘電体として非常に興味深い材料である。しかし、LaTaO₄では非極性の単斜晶が安定相であり、準安定相の直方晶の単結晶育成が困難なため詳細な誘電特性について調べられていない。そこで、本研究では詳細な誘電特性を調べるため直方晶LaTaO₄のエピタキシャル薄膜の作製を試みた。